Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の課題」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第16回となります。eetimes.itmedia.co.jp前回に続いてシーケンシャルCFETの製造プロセスを扱っています。 今回はトップ側の製造プロ…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第15回となります。 eetimes.itmedia.co.jp コンプリメンタリFET(CFET)の製造プロセスの続きです。 シーケンシャルCFETの課題(ウ…

コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新。「キオクシアがNANDフラッシュで6ビット/セルの超多値記憶を確認」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。ここのところ、新しいコラムを開発しておりまして。コラム開発の膨大な時間がかかってしまい、「セミコン業界・・・」の記事に取りかかれずにおりました。pc.watch.impress.co.jp3D…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第14回となります。 eetimes.itmedia.co.jp CFETの製造プロセスを扱っております。最初はモノリシック構造です。 お手すきのときにで…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第13回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 次々世代のトランジスタ技術「CFET」の構造をまず説明しています。それから、作り方(製…

コラム「デバイス通信」を更新。「コンプリメンタリFET(CFET)でCMOS基本セルの高さを半分に減らす」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第12回となります。eetimes.itmedia.co.jp 前回に続き、CFETの講演部分です。2nm世代以降の候補となります。いやもっと先かも。考え…

コラム「デバイス通信」を更新。「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第11回となります。eetimes.itmedia.co.jp ついに3次元CMOSロジックの登場となりました。実用化は早くても2nm世代以降。 もちろん使…

コラム「デバイス通信」を更新。「論理回路セルとSRAMセルを縮小するフォークシート構造」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第10回となります。eetimes.itmedia.co.jp ナノシート構造とフォークシート構造で、同じ機能の論理回路セルとSRAMセルの大きさを比較…

コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のCMOSロジック製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第9回となります。eetimes.itmedia.co.jp今回はpチャンネルとnチャンネルのトランジスタ対(ペア)を製造する工程(ステップ)を説明…

コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のトランジスタが次世代以降の有力候補である理由」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第8回となります。eetimes.itmedia.co.jp フォークシート構造の続きです。フォークシート構造は、CMOSロジックを構成するpチャンネル…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IMW2021レポート、SamsungとGFが高密度の埋め込みフラッシュ技術を開発」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ(IMW)」のレポート第2報です。高密度の埋め込みフラッシュ技術の発表を紹介しています。1つは28nmのHK…

コラム「デバイス通信」を更新。「ナノシート構造を超える高い密度を実現するフォークシート構造」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第7回となります。 eetimes.itmedia.co.jp FinFET(フィンフェット)の次はナノワイヤ構造、あるいはナノシート構造のチャンネルを備…

コラム「デバイス通信」を更新。「フィンFET(FinFET)の次に来るトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第6回となります。eetimes.itmedia.co.jp フィンフェット(FinFET)の微細化は限界に来ると言われ続けてCMOSロジックは5nm世代もFinF…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IMW2021レポート、富士通とソニーが次世代不揮発性メモリをそれぞれ開発」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp 半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ(IMW)」のレポート初号です。 次世代不揮発性メモリで大きな講演が2つありました。1つは、富士通グル…

コラム「デバイス通信」を更新。「電源供給配線網(PDN)をシリコンダイの裏面に配置して電源をさらに安定化」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第5回となります。eetimes.itmedia.co.jp 基本セルの電源配線を基板側に埋め込むだけでなく、電源供給配線網(PDN)を基板裏面(シリ…

VLSIシンポジウム直前レポート「VLSI回路シンポジウム編」

PC Watch様に国際学会「VLSIシンポジウム」の直前レポートを掲載していただきました。 回路技術の研究成果を披露する「VLSI回路シンポジウム」の概要レポートとなります。pc.watch.impress.co.jp デバイス・プロセス技術の研究成果を披露する「VLSI技術シン…

VLSIシンポジウム直前レポート「VLSI技術シンポジウム編」

PC Watch様に国際学会「VLSIシンポジウム」の直前レポートを掲載していただきました。 始めはデバイス・プロセス技術の研究成果を披露する国際学会「VLSI技術シンポジウム」の直前レポートです。pc.watch.impress.co.jp 昨年に続いてオンライン開催(バーチ…

コラム「デバイス通信」を更新。「埋め込み電源配線の構造と材料選択」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第4回となります。eetimes.itmedia.co.jp埋め込み電源/接地配線(BPR)技術のさらに続きです。 とりあえずは構造説明のための略語と…

コラム「デバイス通信」を更新。「電源/接地線の埋め込みで回路ブロックの電圧降下を半分以下に低減」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第3回となります。eetimes.itmedia.co.jpCMOSロジックの基本セル(スタンダードセル)を縮小するために、電源/接地線を基板側に埋め…

コラム「デバイス通信」を更新。「CMOSロジックの高密度化を後押しする次世代の電源配線技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第2回となります。eetimes.itmedia.co.jpCMOSロジックの基本セル(スタンダードセル)を縮小する手法の変遷をたどっています。3nm世…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「2021年のVLSIシンポジウム注目講演」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp 昨年に続いて今年もバーチャル開催となった「VLSIシンポジウム」です。 そのオンデマンドセッション(ウエブで一般講演を聴講するセッション)が6月1日に…

コラム「デバイス通信」を久々に更新。「微細化の極限を目指すCMOSロジックの製造技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を久々に更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」を始めます。 参考資料はIEDM2020のチュートリアル講演です。eetimes.itmedia.co.jp 次世代や次々世代などのロジックを中心に、 …

コラム「ストレージ通信」を更新。「埋め込みDRAMをハイエンドプロセッサの大容量キャッシュに使う」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。最終回となります。 技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。 同社でシニア技術フェローをつとめるJeo…

コラム「ストレージ通信」を更新。「埋め込みフラッシュメモリの応用製品」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。 技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。 同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「2021年の半導体市場は2年連続で2ケタ成長へ」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp2020年の半導体市場規模と半導体ベンダー売上高ランキング(上位10社)が確定したところで、まとめ記事を書いております。おまけは2021年の市場予測です。 …

コラム「ストレージ通信」を更新。「HDD大手WDの2021年3月期四半期業績」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。HDD大手2社が四半期業績を発表しました。 そこで次世代メモリの講演紹介シリーズをいったん中断し、 HDD大手2社の業績を2回にわたってご紹介してます。 前回はSeagate、今回がWes…

コラム「ストレージ通信」を更新。「HDD大手Seagateの2021年3月四半期業績」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 HDD大手2社が四半期業績を発表しました。 そこで次世代メモリの講演紹介シリーズをいったん中断し、 HDD大手2社の業績を2回にわたってご紹介します。最初はSeagate Technology(…

コラム「ストレージ通信」を更新。「Samsungの埋め込みMRAMをソニーのGPSレシーバーLSIが搭載」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。 技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。 同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演…

コラム「ストレージ通信」を更新。「Everspinが3世代にわたって開発してきたMRAM技術の変遷」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。 技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。 同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「半導体を自国で生産しても、供給不足の解消とはならない」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。半導体不足が電子機器や自動車などの生産に影響を及ぼすなか、自国に半導体工場を作ろうという動きが出ています。 その解説です。pc.watch.impress.co.jp 元々はtwitterにヨタをエ…