EETimes Japan誌に連載中のコラム「ストレージ通信」を更新しました。 磁性体（強磁性体）の最も重要な性質である「交換相互作用」を外部磁界による磁化反転から説明しています。 「STT-MRAMの基礎（4）：交換相互作用の初歩の初歩」 http://eetimes.jp/ee/a…

EETimes Japan誌のコラム「ストレージ通信」を更新しました。 STT-MRAMの基礎解説シリーズ第3回です。 「STT-MRAMの基礎（3）：強磁性、常磁性、反磁性の違い」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/26/news036.html 前半は強磁性体の基本的な性質である、交…

米国カリフォルニア州パサデナで開催中のIRPS（国際信頼性物理シンポジウム）から、現地レポート第2弾をPCWatch誌に掲載していただきました。 「金属配線の寿命は、電流密度で決まるとは限らない」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20160…

EETimes Japan誌に掲載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第2回です。 「STT-MRAMの基礎（2）：STT-MRAMの概要と応用の可能性」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/22/news022.html 応用の可能性は…

米国カリフォルニア州パサデナ市で開催中のIRPSから、現地レポートをPCWatch誌に掲載していただきました。 「微細化による論理回路のソフトエラー対策をBroadcomなどが発表」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20160421_754358.html 16nm FinF…

EETimes Japan誌に掲載しております連載コラム「ストレージ通信」を久々に更新しました。 次世代メモリとして期待されているSTT-MRAMの基礎を解説するシリーズを始めます。 「STT-MRAMの基礎――情報の蓄積に磁気を使う」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/…

EETimes Japan誌の連載コラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「ARMが語る最先端メモリ」の第16回（完結編）です。 「ARMが語る、最先端メモリに対する期待（16）：求む、「スーパーメモリ」」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/14/news030.html…

広告企画記事として、展示会「ファインテックジャパン」から真空装置メーカーアルバックの展示内容をレポートしました。 「IoT社会を支えるアルバックの最先端テクノロジー - ファインテック ジャパン」 http://news.mynavi.jp/kikaku/2016/04/11/001/ 装置…

PCWatch誌の連載コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新しました。6月に開催される半導体技術開発のイベント「VLSIシンポジウム」の予告レポートです。 「10nm世代の半導体技術が6月のVLSIシンポジウムで姿を現わす〜続々登場する技術の概要を紹介 」 htt…

EETimes Japan誌の連載コラム「デバイス通信」を更新しました。 シリーズ「ARMが語る最先端メモリ」の第15回です。 「ARMが語る、最先端メモリに対する期待（15）：SRAMの書き込み動作を理解する」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/11/news018.html 半導…

EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「最先端メモリに対する期待（14）：SRAMの消費電力と設計の課題」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/05/news030.html SRAMシリコンの実レイアウト（CAD出力）、消費電力…

平素はご訪問をありがとうございます。管理人です。2016年3月の本ブログに対するアクセスログがまとまりました。3月のPV数 7175 （参考：2月は 8155）3月のユニークユーザー数 6546 （参考：2月は 7331） ●3月の検索語ランキング ジェノサイダー 漫画 48 3.0…