Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2018-11-01から1ヶ月間の記事一覧

コラム「ストレージ通信」を更新。HDD大手Seagate Technologyの四半期業績(2018年9月期)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。eetimes.jpWestern Digitalに続いてSeagate Technologyの四半期業績です。Western Digital(WD)の記事はこちらです。eetimes.jp WDは減収減益でしたが、Seagateは増収増益です。…

コラム「デバイス通信」を更新。シリーズ「インテルが始まったころ」第3回(1970年)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。eetimes.jp インテル(Intel)の創業期を1年ずつ、年次報告書をベースに振り返るシリーズの第3回です。 今回は1970年の業績を紹介するとともに、主な活動を補足として追加しており…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「来年2月開催予定のISSCC 2019概要」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp 来年2月に開催される回路技術の国際学会ISSCCの概要が報道機関向けに公表されました。 その内容をご紹介しております。 主な資料は、プレスキット(日本版…

コラム「ストレージ通信」を更新。HDD大手Western Digtalの四半期業績(2018年9月期)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。3D NANDフラッシュのシリーズをいったん中断して、HDD大手の四半期業績を紹介していきます。 今回はWestern Digitalの四半期業績(2018年9月期)です。eetimes.jp前年比、前期比…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「カーボンナノチューブメモリの最新状況」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。2年前に同じコラムで紹介した「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」の続編です。 pc.watch.impress.co.jp 上は2年前の記事です。前後編の大ボリュームです。 そしてこれが続編で…

コラム「デバイス通信」を更新。新シリーズ「Intelが始まったころ」第2回「1969年のIntel」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。eetimes.jp新シリーズ「創業期のIntel」の第2回です。創業翌年の1969年の活動実績と業績をご紹介しております。1968年7月に設立されたIntelは、9カ月後の1969年4月には早くも、最初…

コラム「ストレージ通信」を更新。3D NANDフラッシュのキープロセス「絶縁膜の埋め込みと平坦化」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。eetimes.jp 絶縁膜の埋め込みと平坦化が、複雑な形状の加工を支える (1/2) - EE Times Japan 3D NANDフラッシュメモリの製造を支えるキープロセスをシリーズでご紹介しております…

コラム「デバイス通信」を更新。新シリーズ「Intelが始まったころ」をスタートしました

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。Intelの創業黎明期を年次報告書(アニュアルレポート)から描く、新シリーズをはじめました。eetimes.jpIntelの創業年、研究開発主体で売り上げは「ゼロ」 (1/2) - EE Times Japan …

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「12月上旬開催予定の国際学会IEDM2018のプレビュー」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp 【福田昭のセミコン業界最前線】半導体デバイスの明日を展望するIEDM 2018が12月に米国で開催 - PC Watch 半導体の研究開発コミュニティにおける冬の二大…

コラム「ストレージ通信」を更新。3D NANDフラッシュの「垂直方向に並んだセルトランジスタを一気に作る」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。eetimes.jp垂直方向に並んだセルトランジスタを一気に作る (1/2) - EE Times Japan 3D NANDフラッシュメモリのシリーズ第11回です。 垂直方向に並んだセルトランジスタを形成する…

コラム「ストレージ通信」を更新。「高アスペクト比の細長い孔をハードマスクで形成」(続き)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。eetimes.jp 高アスペクト比の細長い孔をハードマスクによって形成(続き) (1/2) - EE Times Japan 前回の続きです(タイトル通り(苦笑))。アスペクト比の非常に大きな孔を開…