Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「Samsungの埋め込みMRAMをソニーのGPSレシーバーLSIが搭載」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第14回となります。

eetimes.jp


最近は単体メモリではなく、埋め込みメモリの開発が盛んです。
埋め込みフラッシュメモリを埋め込みMRAMで置き換えようしています。

その製品例が、Samsungソニーのファウンダリとして製造したGPSレシーバーLSIです。
28nm世代のFD-SOI CMOSロジックのプロセスを使い、多層金属配線の工程で磁気トンネル接合(MRAMの記憶素子)を金属配線間に作り込んでおります。


詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「Everspinが3世代にわたって開発してきたMRAM技術の変遷」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第13回となります。

eetimes.jp


磁気抵抗メモリ(MRAM)開発では最も長い歴史を有するベンチャー、Everspin TechnologiesのMRAM技術を解説しています。3つの技術世代があります。

詳しくは記事をお読みくださいませ。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「半導体を自国で生産しても、供給不足の解消とはならない」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

半導体不足が電子機器や自動車などの生産に影響を及ぼすなか、自国に半導体工場を作ろうという動きが出ています。
その解説です。

pc.watch.impress.co.jp


元々はtwitterにヨタをエントリーしたのが始まりでした。これをまともな形にしたのが、上記の記事です。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「米国のルネサスがSTT-MRAMを販売中」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第12回となります。

eetimes.jp


前回からは「次世代半導体メモリ」の講演部分に入っております。今回からは次世代メモリの1つ「磁気抵抗メモリ(MRAM)」の製品化事例を紹介します。

始めはMRAMベンチャーAvalancheの開発成果です。Avalancheが開発したシリアル入出力の8MビットMRAMをIDTルネサスが買収)が2019年に販売を始めました。現在はルネサスブランドで発売されています。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「次世代半導体メモリの開発ロードマップ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第11回となります。

今回からはフラッシュメモリではなく、「次世代半導体メモリ」の講演部分に入ります。
始めは開発ロードマップです。

eetimes.jp


磁気抵抗メモリ(MRAM)、スピン注入型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)、相変化メモリ(PCRAM)、クロスポイントメモリ(XPoint)、抵抗変化メモリ(ReRAM)、メムリスタ、強誘電体メモリ(FeRAM)、ナノチューブメモリ(NRAM)、キャッシュ用埋め込みDRAM(eDRAM)、埋め込みフラッシュメモリ(eFLASH)の開発ロードマップが掲載されております。

お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「10年後の3D NANDフラッシュはワンチップに4Tビットを記憶へ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第10回となります。

3D NANDフラッシュメモリの将来ロードマップを、高層化と記憶容量から展望しております。

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10年後にはワンチップが4Tビットに拡大するとの予測です。

お手すきのときにでも、記事を眺めていただればうれしいです。