Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線のアスペクト比を定義する」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第7回です。


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アスペクト比は一般的には縦と横の比率のことです。
多層配線では、配線断面の高さと幅の比率となります。

ただし、高さと幅をどのように定義するかが問題です。

詳しくは記事をお読みいただければうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。「銅配線の微細化限界を拡張するサブトラクティブ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第6回です。


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ダマシン技術には、バリア層やライナー層などによって配線の面積が小さくなってしまうという問題があります。

その点、サブトラクティブ技術だと、バリア層の有無によって配線の面積は変わりません。


そこで配線金属をサブトラクティブ技術で作れるものに変更し、配線抵抗を減らすことが試みられています。


詳しくは記事をお読みいただければうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。「銅配線の微細化限界を左右するダマシン技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第6回です。


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多層配線のパターン形成技術である、ダマシン技術とサブトラクティブ技術を説明しています。

半導体集積回路が量産されるようになった当初は、1990年代半ばまでずっと、サブトラクティブ技術が使われていました。配線はアルミニウムあるいは多結晶シリコンです。


アルミニウム配線のエレクトロマイグレーション寿命が大きな問題となったことから、配線は銅へと移行しました。銅配線の実用化に寄与したのが、IBMが開発したダマシン技術です。


両者の詳しい工程(プロセス)は、記事をご参照くださいませ。

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線の微細化と性能向上を両立させる要素技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第5回です。


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大規模高性能ロジックの多層配線は単純に微細化すると、性能が低下します。
そこで微細化と性能向上を両立させる技術(要素技術)が必要です。

多層配線構造で配線ピッチが最も微細な部分と、やや緩い部分に分けて開発の方向性と要素技術の候補を挙げています。

お手すきのときにでも、記事をながめていただけるとうれしいです。



しかし。アマゾンで検索しても、オンチップ多層配線技術の参考書がまったく見つかりません。
見つかるのはプリント配線板の解説書ばかり。
来年の技術書典ではこれが新刊のテーマかなあ・・・(今年末の技術書典には、間に合わないです)。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「ストレージの主役がHDDからSSDに交代」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


pc.watch.impress.co.jp


今回はセミコンではなく、ストレージの話題です。
2020年第2四半期の出荷台数(実績)で、ついにSSDがHDDを追い抜きました。
平均単価ではSSDがHDDの約7倍と高いので、出荷金額でもSSDがHDDを上回っていることは確実です。


そして市場調査会社テクノ・システム・リサーチ(TSR)の予測では、
2020年は史上初めて、出荷台数と出荷金額の両方でSSDがHDDを超えます。

SSDは台数と金額ともに増加傾向にあり、HDDは台数と金額ともに減少傾向にあります。
ですから、来年以降はSSDとHDDの差が広がっていく。近未来の予想図はこうなっています。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。


コラム「デバイス通信」を更新。「銅配線の微細化と静電容量の増大」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第4回です。


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銅(Cu)配線の寸法と静電容量の関係を説明しております。
すべての寸法を比例縮小すると、静電容量の値は変わらない。ここが重要です。


しかし、実際には電気抵抗の問題があって配線の高さを比例縮小できない。このため、静電容量が増えてしまう。

後半では銅以外の配線金属についてもふれております。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。