Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

筆者の仕事

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「成長が急激に鈍化するSSD市場」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。HDDの業界団体IDEMA Japanが9月に開催している講演会「国際ディスクフォーラム」からのレポート続編です。 調査会社TSRの講演からSSD市場の部分を解説しております。 pc.watch.imp…

コラム「デバイス通信」を更新。「「システム・製造協調最適化(STCO)」の実現技術(後編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第30回となります。 「システム・製造協調最適化(STCO)」を実現する技術の解説後編です。eetimes.itmedia.co.jp リング発振器を改良…

コラム「デバイス通信」を更新。「「システム・製造協調最適化(STCO)」の実現技術(前編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第29回となります。 前回から最後のパートである「設計・製造協調最適化(DTCO)からシステム・製造協調最適化(STCO)へ」の講演部分…

コラム「デバイス通信」を更新。「FinFETの実用化で必須となった「設計・製造協調最適化(DTCO)」」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第28回となります。 今回から最後のパートである「設計・製造協調最適化(DTCO)からシステム・製造協調最適化(STCO)へ」の講演部分…

コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新。「HDDの出荷金額は2018年以来のプラス成長へ」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を久々に更新しました。HDDの業界団体IDEMA Japanが9月に開催している講演会「国際ディスクフォーラム」からのレポートです。 調査会社TSRの講演からHDD市場の部分を解説しております。pc.watch.im…

コラム「デバイス通信」を更新。「2層上下の配線層をダイレクトに接続する「スーパービア」の課題(後編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第27回となります。 第21回以降は、3nm以降のCMOSロジックに対応した多層配線技術を解説しています。2層離れた配線層(例えばM1とM3)…

コラム「デバイス通信」を更新。「2層上下の配線層をダイレクトに接続する「スーパービア」の課題(前編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第26回となります。 第21回以降は、3nm以降のCMOSロジックに対応した多層配線技術を解説しています。2層離れた配線層(例えばM1とM3)…

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線の高密度化を支えるビア電極の微細化」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第24回となります。 第21回以降は、3nm以降のCMOSロジックに対応した多層配線技術を解説しています。 今回から、多層配線に不可欠なビ…

コラム「デバイス通信」を更新。「高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第23回となります。 前々回から次世代の多層配線技術を解説しています。3nm以降のCMOSロジック技術ノードに対応した技術となります。ee…

コラム「デバイス通信」を更新。「高融点金属の多層配線技術が2nm以降のCMOSを実現」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第22回となります。 前回から多層配線技術を解説しています。eetimes.itmedia.co.jp 銅(Cu)配線の限界に備えた、次世代配線技術の有…

コラム「デバイス通信」を更新。「3nm以降のCMOSロジックを支える配線技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第21回となります。今回から多層配線技術がテーマとなります。 eetimes.itmedia.co.jp 技術ノードの寸法名が7nm、5nm、3nm、2nmと縮小…

コラム「デバイス通信」をさらに更新。「10nm以下の微細ゲートを実現する2次元材料のトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。(すみません!! 寝ぼけて書いていたようで旧テキストが支離滅裂でした。全面改定しております)新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第20回となります。 前回から…

コラム「デバイス通信」を久々に更新。「サブnm時代に向けた2次元材料のトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を久々に更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第19回となります。 今回から新しいパートに入ります。ポストシリコン材料のトランジスタ技術です。eetimes.itmedia.co.jp 2次…

コラム「ストレージ通信」をさらに更新。「HDD大手SeagateとWestern Digitalの年度業績」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」をさらに更新しました。HDD大手2社(Seagate TechnologyとWestern Digital(WD))の2021会計年度業績です。eetimes.itmedia.co.jp HDDビジネスを主体とするSeagateが、利益率が高い。でも売上高…

コラム「ストレージ通信」を続けて更新。「HDD大手Western Digitalの6月期四半期業績」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を続けて更新しました。HDD大手2社が四半期業績を発表しました。その概要をご説明します。 前回はSeagate、今回がWestern Digital(WD)です。 eetimes.itmedia.co.jp WDは売り上げの半分がHDD、…

コラム「ストレージ通信」を久々に更新。「HDD大手Seagateの6月期四半期業績」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を久しぶりに更新しました。HDD大手2社が四半期業績を発表しました。その概要をご説明します。 今回はSeagate、次回がWestern Digital(WD)となる予定です。 eetimes.itmedia.co.jp 業績はかなり…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(後編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第18回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 前編はこちらです。次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(前編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第17回となります。eetimes.itmedia.co.jp シーケンシャルCFETはウエハーの貼り合わせで製造します。 このことは、nチャンネルとpチ…

新コラム「製造業異聞録」を「ビジネス+IT」で開始。「日本の半導体が1980年代に興隆した最大の理由は「運が良かった」から」

「ビジネス+IT」誌様から新コラムを受託しました。「製造業異聞録」です。www.sbbit.jp 今だから公表できる事実や、あまり知られていない事実を掘り起こすコラムとなります。 掲載頻度は、月に1回くらいを予定しています。 そして初回は、あの「日本の半導体…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の課題」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第16回となります。eetimes.itmedia.co.jp前回に続いてシーケンシャルCFETの製造プロセスを扱っています。 今回はトップ側の製造プロ…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第15回となります。 eetimes.itmedia.co.jp コンプリメンタリFET(CFET)の製造プロセスの続きです。 シーケンシャルCFETの課題(ウ…

コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新。「キオクシアがNANDフラッシュで6ビット/セルの超多値記憶を確認」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。ここのところ、新しいコラムを開発しておりまして。コラム開発の膨大な時間がかかってしまい、「セミコン業界・・・」の記事に取りかかれずにおりました。pc.watch.impress.co.jp3D…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第14回となります。 eetimes.itmedia.co.jp CFETの製造プロセスを扱っております。最初はモノリシック構造です。 お手すきのときにで…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第13回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 次々世代のトランジスタ技術「CFET」の構造をまず説明しています。それから、作り方(製…

コラム「デバイス通信」を更新。「コンプリメンタリFET(CFET)でCMOS基本セルの高さを半分に減らす」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第12回となります。eetimes.itmedia.co.jp 前回に続き、CFETの講演部分です。2nm世代以降の候補となります。いやもっと先かも。考え…

コラム「デバイス通信」を更新。「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第11回となります。eetimes.itmedia.co.jp ついに3次元CMOSロジックの登場となりました。実用化は早くても2nm世代以降。 もちろん使…

コラム「デバイス通信」を更新。「論理回路セルとSRAMセルを縮小するフォークシート構造」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第10回となります。eetimes.itmedia.co.jp ナノシート構造とフォークシート構造で、同じ機能の論理回路セルとSRAMセルの大きさを比較…

コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のCMOSロジック製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第9回となります。eetimes.itmedia.co.jp今回はpチャンネルとnチャンネルのトランジスタ対(ペア)を製造する工程(ステップ)を説明…

コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のトランジスタが次世代以降の有力候補である理由」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第8回となります。eetimes.itmedia.co.jp フォークシート構造の続きです。フォークシート構造は、CMOSロジックを構成するpチャンネル…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IMW2021レポート、SamsungとGFが高密度の埋め込みフラッシュ技術を開発」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ(IMW)」のレポート第2報です。高密度の埋め込みフラッシュ技術の発表を紹介しています。1つは28nmのHK…