Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2018-12-01から1ヶ月間の記事一覧

コラム「ストレージ通信」を更新。「3D NANDフラッシュの限界はまだ見えない」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。eetimes.jp3D NANDフラッシュの高密度化と大容量化の製造技術とスケーリングを解説するシリーズ、完結回となります。前半は、メモリセルアレイを周辺回路を積層してシリコン面積…

コラム「デバイス通信」を更新。シリーズ「インテルが始まったころ」第7回(時計メーカーになったIntel)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。eetimes.jpインテル(Intel)の創業期を振り返るシリーズの連載第7回です。年次としては1972年、その後編です。この年にインテルは、腕時計の開発ベンチャーを買収しました。 クオ…

コラム「セミコン業界最前線」を続けて更新。「次世代マイコン/SoCの埋め込みメモリにPCM技術が突如降臨」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を続けて更新しました。pc.watch.impress.co.jp次世代マイコン/SoCの埋め込みメモリ開発では、MRAM技術が本命とされておりました。 現在のマイコン/SoCがプログラムコード格納用に内蔵している、埋…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「EUVリソグラフィによる半導体の量産がついに始まる」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jpEUVリソグラフィ技術が、ついに半導体の量産に導入され始めました。 7nm世代の最先端ロジックと、16nm世代の最先端DRAMに導入されます。最先端ロジックでは…

コラム「ストレージ通信」を更新。3D NANDのメモリホール形成におけるエッチングと成膜の難度を軽減

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。3D NANDフラッシュメモリの製造とスケーリングに関するシリーズの第14回となります。eetimes.jp高アスペクト比のメモリホール形成に必要なエッチングと成膜の技術的な難しさを緩…

コラム「デバイス通信」を更新。シリーズ「インテルが始まったころ」第6回(1972年の前編)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。eetimes.jpIntel(インテル)の創業期を振り返るシリーズの第6回です。 創業5年目である1972年の業績と活動を紹介しております。その前編です。 インテルはこの年に初めて、営業損…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IEDM 2018に続出した最新のMRAM技術」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp 【福田昭のセミコン業界最前線】Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術 - PC Watch サンフランシスコで開催された国際学会IEDMから、埋…

コラム「ストレージ通信」を更新。3D NANDフラッシュのシリーズを再開。「ペア薄膜によるスケーリング」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。中断しておりました、3D NANDフラッシュメモリの製造技術に関するシリーズを再開です。eetimes.jp 3D NANDの高密度化を支えるペア薄膜のスケーリング手法 - EE Times Japan 今回…

コラム「デバイス通信」を更新。シリーズ「インテルが始まったころ」第5回(1971年の後編)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。 eetimes.jp Intelの創業4年目(後編)、最終損益が黒字に転換 (1/2) - EE Times Japan インテルの創業期を振り返るシリーズの第5回です。 創業4年目の1971年を振り返っております…

国際学会IEDMの現地レポート。SK Hynixが「3D XPointメモリ」のセカンドソース(?)を開発

PC Watch様に、国際学会IEDMの現地レポートを掲載していただいております。pc.watch.impress.co.jp【イベントレポート】3次元クロスポイント構造で128Gbitの大容量不揮発性メモリをSK Hynixが開発 - PC Watch SK Hynixが2層の3次元クロスポイント構造で128Gb…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。微細化に頼らずに大容量化・高密度化を進める次世代DRAM技術

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。pc.watch.impress.co.jp 【福田昭のセミコン業界最前線】微細化に頼らずに大容量化を進める次世代DRAM技術 - PC Watch 国際学会IEDMから、DRAMの技術動向に関する解説記事です。 D…

IEDM 2018の現地レポートの続き。「Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAM技術を開発」

国際学会IEDMの現地レポート続報をPC Watch様に掲載していただいております。pc.watch.impress.co.jpIntelが22nm世代のロジックに埋め込むためのMRAM(磁気抵抗メモリ)技術を開発しました。 低消費電力版プロセスの「22FFL」によるロジックと混載するMRAMを…

国際学会IEDMからコラム「セミコン業界最前線」を更新。「3D NANDの製造技術を強誘電体メモリに応用」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。国際学会IEDMの研究成果発表からです。pc.watch.impress.co.jp3D NANDフラッシュの製造技術である「メモリスルーホール技術」を、強誘電体トランジスタに適用したメモリをimecが試…

IEDM 2018の現地レポートが始まりました。「IntelとMicronのQLC方式3D NANDフラッシュ技術」

米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催中の国際学会IEDMから、現地レポートをPC Watch様に掲載していただきました。 初報はQLC方式の3D NANDフラッシュです。pc.watch.impress.co.jpQLC方式と64層の組み合わせによる1Tbitのチップに関し、 シリコンダ…

コラム「デバイス通信」を更新。「Intelが始まったころ」第4回(1971年の前編)

EETimes Japam様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。eetimes.jpIntelの創業年である1968年から1年ずつ、その歩みを記述するシリーズ。 その第4回、つまり創業4年目の1971年となります。1971年はいろいろなことがあって書ききれなくな…