Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2020-12-01から1ヶ月間の記事一覧

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IEDM 2020のMRAM発表まとめレポート」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp IEDM 2020のMRAM技術発表まとめレポートです。すべて埋め込みMRAM(eMRAM)の研究成果です。埋め込みMRAMは当初、フラッシュメモリ内蔵マイコン(フラッ…

コラム「デバイス通信」を更新。「EUVリソグラフィを補完する自己組織化リソグラフィ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第14回です。 eetimes.jp EUVリソグラフィと自己組織化リソグラフィ(DSAリソグラフィ)を組み合わせると、 回路パターンの線幅とエッジの寸…

コラム「デバイス通信」を更新。「自己組織化リソグラフィによる微細な配線パターンの形成」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第13回です。 eetimes.jp 自己組織化リソグラフィ(DSAリソグラフィ)による平行配線パターン形成の工程を説明しています。ArF液浸リソグラフ…

コラム「デバイス通信」を更新。「露光技術の微細化限界を突破する自己組織化技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第12回です。 eetimes.jp 今回から次世代リソグラフィ技術の1つである「自己組織化リソグラフィ」のパートを説明していきます。 「誘導自己組…

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線の性能を向上させるエアギャップと2次元材料」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第11回です。eetimes.jp 多層配線の性能を向上させる2つの要素技術を紹介しています。1つは絶縁膜の誘電率を下げる「エアギャップ」技術です…

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線のアスペクト比(AR)を高める2つの要素技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第10回です。 eetimes.jp 配線のアスペクト比(AR)を高める要素技術を紹介しています。標準的なプロセスだと、ARは3くらい。これをさらに高…

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線のアスペクト比と抵抗および容量の関係」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第9回です。 eetimes.jp 多層配線のアスペクト比(AR)と抵抗および容量の関係を論じています。 ARが一定だと、抵抗と容量はトレードオフにな…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「バーチャル開催となったIEDM 2020のプレビュー」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp 半導体デバイス技術とプロセス技術の国際学会IEDM 2020のプレビューです。 今年の春以降に開催された国際学会と同様に、バーチャルカンファレンスとなり…

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線のアスペクト比を定義する」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第8回です。 eetimes.jp アスペクト比は一般的には縦と横の比率のことです。 多層配線では、配線断面の高さと幅の比率となります。ただし、高…