Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2016-12-01から1ヶ月間の記事一覧

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのセル選択素子技術(後編)」

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向」シリーズの最終回です。 「抵抗変化メモリの開発動向(13):SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(後編)」 http://eetimes.jp/…

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのセル選択素子技術(前編)」

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向(12):SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(前編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/27/news031.html 高密度なメモリセル…

日本郵便がブラック企業大賞のウェブ投票賞を受賞

本エントリーは前回の続きです。 http://d.hatena.ne.jp/affiliate_with/20161221 23日(金)に「ブラック企業大賞」が発表されました。 http://blackcorpaward.blogspot.jp/2016/12/2016_23.html 日本郵便は見事、ウェブ投票賞を受賞しました。 ウェブ投票…

「ブラック企業大賞ノミネートに寄せて」宅配便業界の深刻な人手不足を実感しております

仕事柄、アマゾンや楽天などのオンライン通販を利用する機会がとても多いです。専門書は、近所の書店ではたいてい販売していない。それどころか、専門書ではなくても置いていないことが少なくない。書籍が多すぎて普通の書店では容量が明らかに不足しており…

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのメモリセルアレイとメモリセル選択」

EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向(11):SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセルアレイとセルの選択」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/19/news030.html 半導体メモリの基礎を…

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリの抵抗値が書き込み直後に変化する現象」

EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。 「SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/13/news026.html 抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子における抵抗値が書き込み直後に…

IEDM 2016現地レポート「シリコンベースの超高周波トランジスタが「テラヘルツ・ギャップ」を突破」

IEDM 2016現地レポートをPCWatch誌に掲載していただきました。最大発振周波数(fmax)が720GHzと高い動作性能を達成したシリコンベースのトランジスタの研究開発成果です。 「光と電波の「テラヘルツ・ギャップ」をシリコンベースのトランジスタが突破」http…

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリの長期信頼性」

EETimes Japan誌に掲載していただいておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「SanDiskが語る、抵抗変化メモリの長期信頼性」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/09/news018.html ここで長期信頼性とは書き換えサイクル数とデータ保持期間のこ…

IEDM 2016現地レポート「IBMグループとTSMCがそれぞれ開発した7nm世代のCMOS製造技術

「両極端に分かれたIBMとTSMCの次々世代半導体製造技術」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1034186.html IEDM 2016でTSMCとIBMグループがそれぞれ、7nmのCMOSロジック製造技術を発表しました。詳細はレポート記事を見ていただくとして、…

日経テクノロジーオンラインの「IEDM 2016レポート」がいろいろと間違っていて読んでいて辛い

エンジニアの味方を自称するオンライン誌「日経テクノロジーオンライン」がIEDM 2016レポート特集を組んでいます。読むと一見して内容が素人といいますか、辛すぎます。あんまりこんなことはしたくないし、時間がもったいないんですが、あまりに酷い点は正し…

IEDM 2016現地レポートの掲載が始まりました。「実行委員会が選んだ注目講演」

さっきまで書いていたエントリーがトラブルで全部消えてしまいました(泣)。 気力が失せてしまったので省エネモードです。すみません。 IEDM 2016の現地レポートが掲載され始めました。 「7nmの次々世代半導体製造技術や眼球にはめる人工虹彩などが登場〜IE…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。MicronとSamsungの「STT-MRAMぶっちゃけトーク」

PC Watch誌で連載しておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。11月に出張して取材したIBMのSTT-MRAM発見20周年記念シンポジウムが元になっております。 「STT-MRAMの「夢」を捨てたMicronとSamsungが見据える未来」 http://pc.watch.impress.c…

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのスイッチング機構」

EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「SanDiskが語る、抵抗変化メモリのスイッチングモデル」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/05/news027.html 抵抗変化メモリ(ReRAM)の開発動向を解説するシリーズの第8回で…

2016年11月の当ブログに関するアクセスログ

平素はご訪問をありがとうございます。管理人です。2016年11月の本ブログに対するアクセスログがまとまりました。11月のPV数 5351 (参考:10月は 5818)11月のユニークユーザー数 4868 (参考:10月は 5332)ほとんど業務メモと化しているせいか、前月に続…