Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「多層配線のアスペクト比(AR)を高める2つの要素技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第10回です。


eetimes.jp


配線のアスペクト比(AR)を高める要素技術を紹介しています。

標準的なプロセスだと、ARは3くらい。これをさらに高める要素技術です。

1つはボトムアップで銅を堆積させる技術。
通常の電解メッキでARを高めると、絶縁膜に形成した溝の開口部付近では銅の堆積速度が高くなってオーバーハングし、
両側面の銅が接触する、ということが起こりやすくなります。
ボトムアップで銅が堆積すると、このオーバーハングが起こりません。


もう1つはビア部分に選択堆積で金属を埋め込む技術。
ビアに金属を埋め込んだあとで銅を電解メッキするので、実効的にはARが低くなります。
ビアに埋め込む金属にはルテニウムやコバルトなどが考えられているようです。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。