EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
半導体メモリとストレージに関する講演会兼展示会「FMS」の生涯功績賞（ライフタイムアチーブメントアワード）に関するまとめレポートです。
今年は3D NANDフラッシュ技術「BiCS-FLASH」を開発した東芝（当時）の5名が受賞しました。
筆者は以前にBiCSの開発者は誰なのかを東芝の関係者に学会でたずねたことがあります。
特定の個人ではないとの回答を得ていたのですが、その通りのようです。
フラッシュメモリとは違い、舛岡富士雄氏のようなカリスマはいませんでした。
あと驚いたのは、2022年に多値記憶技術の開発で3名が受賞していた中の1名が日本電気（当時、現在のNEC）の半導体技術者だったことです。
さらに驚いたのは、多値記憶技術の特許を出願していたにも関わらず、成立させなかったことです。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
