EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
シリーズ「フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表」の第22回です。
久しぶりにフラッシュメモリの技術開発がテーマとなっております。年代は1997年から2001年です。
記憶容量拡大の裏技（切り札？）である、多値記憶技術の導入が始まりました。
前後編で導入時期を紹介しております。今回は前編で、NORフラッシュメモリの多値化がテーマです。
当然といいますか、最初は2ビット（4値）を1個のメモリセルに記憶する2ビット/セル技術となっております。
これでも当初は相当に難しい技術です。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
