EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
シリーズ「フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表」を開始しております。その第4回です。
1978年ころから、UV-EPROMの欠点である「紫外線照射による一括消去」を解決するEEPROMの開発が活発になりました。
EEPROMは2トランジスタセルで、メモリセルを構成する素子の数がUV-EPROM（1トランジスタセル）よりも多いのですが、
電気的にバイト単位でデータを書き換えられます。
そこに1トランジスタセルのEEPROMという「フラッシュEEPROM」が爆誕しました。1984年末のことです。
「フラッシュ」と名付けたのは東芝です。原理的に同様のアイデアは他社にもありました。
でも「フラッシュ（Flash）」という奇抜な名称で発表したのは東芝だけでした。
「フラッシュ」は不揮発性メモリの研究開発コミュニティではものすごくウケたようです。
競合他社も1トランジスタセルEEPROMの発表に「フラッシュ」と入れるようになりました。
そして現在は「フラッシュメモリ」として通用しています。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
