Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。半導体メモリの勢力図(第5回)「既存のメモリと次世代メモリの違い」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp


既存の半導体メモリと、エマージングメモリ(次世代メモリ)を比較しつつ、その違いを説明しております。

別名「今さら聞けない次世代メモリ」(爆)。


ぶっちゃけます。粗く断言してしまうと、次世代メモリとは「書き込みが速い不揮発性メモリ」です。

言い換えますと、既存の不揮発性メモリはすべて「書き込みが遅い」という弱点を抱えています。
標準型EEPROMにしても、フラッシュメモリにしても、書き込みが遅い。
読み出しは速いのですが。


一方、DRAMSRAMは、書き込みも読み出しも速い。でも不揮発性ではない。
そこから、次世代メモリのことを「不揮発性のDRAM」とか「不揮発性のSRAM」とか読んだりしています。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。