EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
シリーズ「フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表」を開始しております。その第5回です。
1985年から1988年の主な出来事を年表形式でまとめています。
本文テキストの前半は、NOR型フラッシュメモリを発明した東芝とエクセルマイクロエレクトロニクスのセル構造の比較です。
後半は「フラッシュ」という名称が普及し、さらには「フラッシュEEPROM」ではなく、「フラッシュメモリ」と変わった理由を述べております。インテルが半導体業界に与える影響は大きいなあと。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
