EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
シリーズ「フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表」の第23回です。
前回(前編)に続き、フラッシュメモリが多値記憶技術(マルチレベルセル)を導入した時期の概要を説明しています。
前編では多値記憶の概要とNORフラッシュメモリがテーマでした。
後編は東芝とサンディスクの全面提携と、NANDフラッシュメモリの多値化製品を扱っております。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
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前回(前編)に続き、フラッシュメモリが多値記憶技術(マルチレベルセル)を導入した時期の概要を説明しています。
前編では多値記憶の概要とNORフラッシュメモリがテーマでした。
後編は東芝とサンディスクの全面提携と、NANDフラッシュメモリの多値化製品を扱っております。
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