EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
2D NANDフラッシュの限界と3D NANDフラッシュへの移行 (1/2) - EE Times Japan
NANDフラッシュメモリが微細化（プラス多値化）によって急速に記憶容量および記憶密度を拡大させてきた結果。
2013年前後には既存技術での拡大路線が限界に達します。
微細化に頼れなくなったことで登場したのが、3次元構造のメモリセルアレイを使った3次元NANDフラッシュメモリ技術です。
現在では「3D NAND」とか、「3D NANDフラッシュ」とか呼ばれています。
そして既存技術には区別のために「プレーナーNAND」とか、「2D NAND」といった名称が付けられました。
記事ではプレーナーNANDフラッシュの急速な拡大の歴史。そして限界に突き当たった理由。限界突破（ブレークスルー）技術としての3D NANDフラッシュ技術の概要、などを説明しております。
お手すきのときにでも、眺めて頂けるとうれしいです。
