コラム「ストレージ通信」を更新。「次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット（FMS）の講演紹介の続きです。
アナリストのMark Webb氏によるNANDフラッシュの講演を紹介する記事の第3回となります。

eetimes.jp

次世代の3D NANDフラッシュの姿を予測しております。高層化では176層、多値記憶ではQLCが主流となります。

お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。