EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
フラッシュメモリサミット（FMS）の講演紹介の続きです。
アナリストのMark Webb氏によるNANDフラッシュの講演を紹介する記事の第5回となります。
3D NANDの世代（ワード線積層数）ごとにシリコンダイ製造コストをベンダー別に比較しています。中心は96層品と128層品です。
当然ですが、各世代のシリコンダイ製造コストは時間の経過とともに下がっていきます。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
（追記）この記事はパソコンが壊れる前に出稿されています。
