EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
フラッシュメモリサミット（FMS）の講演紹介の続きです。
アナリストのMark Webb氏によるNANDフラッシュの講演を紹介する記事の第4回となります。
3D NANDフラッシュメモリは世代が交代するごとに、ウエハーコスト（ウエハー当たりの製造コスト）が増加するという問題を論じています。
ここではシリコンダイのシュリンク（面積縮小）には触れておりません。
ウエハー当たりのプロセスコストがどうなるのか、という議論です。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
