EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
フラッシュメモリサミット（FMS）の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第8回となります。
3D NANDフラッシュの高層化に伴う製造の難しさの増加（あるいは製造歩留まりの低下）を緩和する技術を紹介しております。
NANDフラッシュ大手ではキオクシア-WD連合、SK hynix、Intel-Micron連合（96層まで）がすでに2段階の積層（2ティアー、2デッキなどと呼ばれます）技術を導入しています。Samsungだけは92層まで、導入せずにがんばっています。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
