EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
フラッシュメモリサミット（FMS）の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
第4回となります。
3D NANDフラッシュメモリの高層化と多値化により、記憶密度がどのように向上していったかを説明しております。メモリセルアレイの断面を電子顕微鏡で観察した画像が圧巻です。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
