EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
フラッシュメモリサミット（FMS）の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第11回となります。
今回からはフラッシュメモリではなく、「次世代半導体メモリ」の講演部分に入ります。
始めは開発ロードマップです。
磁気抵抗メモリ（MRAM）、スピン注入型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）、相変化メモリ（PCRAM）、クロスポイントメモリ（XPoint）、抵抗変化メモリ（ReRAM）、メムリスタ、強誘電体メモリ（FeRAM）、ナノチューブメモリ（NRAM）、キャッシュ用埋め込みDRAM（eDRAM）、埋め込みフラッシュメモリ（eFLASH）の開発ロードマップが掲載されております。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
