Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「次世代半導体メモリの開発ロードマップ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第11回となります。

今回からはフラッシュメモリではなく、「次世代半導体メモリ」の講演部分に入ります。
始めは開発ロードマップです。

eetimes.jp


磁気抵抗メモリ(MRAM)、スピン注入型磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)、相変化メモリ(PCRAM)、クロスポイントメモリ(XPoint)、抵抗変化メモリ(ReRAM)、メムリスタ、強誘電体メモリ(FeRAM)、ナノチューブメモリ(NRAM)、キャッシュ用埋め込みDRAM(eDRAM)、埋め込みフラッシュメモリ(eFLASH)の開発ロードマップが掲載されております。

お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。