Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「Samsungの埋め込みMRAMをソニーのGPSレシーバーLSIが搭載」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第14回となります。

eetimes.jp


最近は単体メモリではなく、埋め込みメモリの開発が盛んです。
埋め込みフラッシュメモリを埋め込みMRAMで置き換えようしています。

その製品例が、Samsungソニーのファウンダリとして製造したGPSレシーバーLSIです。
28nm世代のFD-SOI CMOSロジックのプロセスを使い、多層金属配線の工程で磁気トンネル接合(MRAMの記憶素子)を金属配線間に作り込んでおります。


詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。