EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
フラッシュメモリサミット（FMS）の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第14回となります。
最近は単体メモリではなく、埋め込みメモリの開発が盛んです。
埋め込みフラッシュメモリを埋め込みMRAMで置き換えようしています。
その製品例が、Samsungがソニーのファウンダリとして製造したGPSレシーバーLSIです。
28nm世代のFD-SOI CMOSロジックのプロセスを使い、多層金属配線の工程で磁気トンネル接合（MRAMの記憶素子）を金属配線間に作り込んでおります。
詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。
