Electronics Pick-up by Akira Fukuda

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コラム「ストレージ通信」を更新。多層配線工程の中間に埋め込む不揮発性メモリ技術(前編)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp


多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(前編) (1/2) - EE Times Japan


埋め込み不揮発性メモリの解説シリーズです。フラッシュメモリ編が前回で完了しました。

今回は多層配線工程の中間に記憶素子を埋め込むタイプの不揮発性メモリ技術を解説します。

その前編です。このタイプの不揮発性メモリはセル選択スイッチのMOS FET1個と記憶素子1個でメモリセルを構成します。

スプリットゲート型フラッシュメモリが1.5トランジスタなので、密度では優位とは言えません。

しかしセル選択用MOS FETの構造がCMOSロジックと基本的には変わらないので、微細化がしやすいという特徴があります。


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