PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
【福田昭のセミコン業界最前線】ReRAMとMRAMがクロスポイント積層で100Gbit超えの大容量化へ - PC Watch
次世代不揮発性メモリの大容量化がクロスポイント構造と3次元積層に方向転換しつつある、という解説です。
国際メモリワークショップ（IMW）での講演が元になっております。
クロスポイント構造のメモリセルアレイは、メモリセルを選択する素子にトランジスタを使いません。
セレクタと呼ばれる2端子スイッチがセル選択素子となります。セレクタと記憶素子が直列接続されます。
等価回路でみると、セレクタと記憶素子（PCM、ReRAM、MRAM）はいずれも非線形の可変抵抗素子になります。
非線形素子の組み合わせとなるため、トランジスタを使うメモリセルとは、かなり違った制御アルゴリズムが必要です。
セレクタの特性は、記憶素子の特性（電流電圧特性、バイポーラかユニポーラか、など）によって最適な特性が変わります。
PCMに最適なセレクタ、ReRAMに最適なセレクタ、MRAMに最適なセレクタは、すべて違うということです。
そのあたりは実は、まだ完全に理解が及んでおりません（すみません）。機会を改めて、きちんと解説しようと考えております。
もうしばらくお待ちくださいませ。
