Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。ISSCCから、東芝とSamsungのNANDフラッシュ開発競争

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp

国際学会ISSCC東芝-Western Digital連合(東芝-WD連合)とSamsung Electronicsがそれぞれ、3D NANDフラッシュメモリを発表しました。その概要をまとめております。

東芝-WD連合が発表した3D NANDフラッシュは、記憶容量は前年と同じ512Gbitながら、ワード線の積層数を96層と大幅に増やして過去最高の記憶密度を実現しています。前年のISSCCで同連合が発表した3D NANDは64層です。


Samsungが発表した3D NANDフラッシュは、ワード線の積層数は前年と同じ64層ですが、多値記憶技術を4bit/セル(QLC)に高度化して過去開口の記憶容量を実現しています。これまでの3D NANDフラッシュでは3bit/セル(TLC)の多値記憶が主流でした。


諸事情で今回のレポートでは技術の詳細までは触れておりません。その代わりにかなり読みやすくしてあります。

お手すきのときにでも眺めていただけるとうれしいです。

【福田昭のセミコン業界最前線】3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突 - PC Watch