PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
国際学会ISSCCで東芝-Western Digital連合（東芝-WD連合）とSamsung Electronicsがそれぞれ、3D NANDフラッシュメモリを発表しました。その概要をまとめております。
東芝-WD連合が発表した3D NANDフラッシュは、記憶容量は前年と同じ512Gbitながら、ワード線の積層数を96層と大幅に増やして過去最高の記憶密度を実現しています。前年のISSCCで同連合が発表した3D NANDは64層です。
Samsungが発表した3D NANDフラッシュは、ワード線の積層数は前年と同じ64層ですが、多値記憶技術を4bit/セル（QLC）に高度化して過去開口の記憶容量を実現しています。これまでの3D NANDフラッシュでは3bit/セル（TLC）の多値記憶が主流でした。
諸事情で今回のレポートでは技術の詳細までは触れておりません。その代わりにかなり読みやすくしてあります。
お手すきのときにでも眺めていただけるとうれしいです。
