2016-12-27から1日間の記事一覧
EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向(12):SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(前編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/27/news031.html 高密度なメモリセル…
EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向(12):SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(前編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/27/news031.html 高密度なメモリセル…