EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向（12）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術（前編）」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/27/news031.html 高密度なメモリセル…

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのセル選択素子技術（前編）」