コラム「デバイス通信」を続けて更新。IEDMプレビュー第2弾、技術講演セッション初日午後をご紹介

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

eetimes.jp

IEDMプレビューの続きです。
技術講演セッション初日（12月4日（月曜日））午後の講演セッションと、注目講演をご紹介しております。

抵抗変化メモリ（ReRAM）の話題が多いです。
クロスポイント構造を想定したReRAMのセレクタ技術、製品化を意識したシリアルインタフェースの小容量ReRAM、高密度化を狙った3D NANDに類似のReRAMセル技術が登場します。

そのほかでは、紙を基板にして2次元トランジスタを作製する研究報告が面白そうです。

抵抗変化メモリの知的材料設計 (大阪大学新世紀レクチャー 計算機マテリアルデザイン先端研究事例)