PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
【福田昭のセミコン業界最前線】パナソニックとTSMCが次世代ReRAMを2019年製品化へ - PC Watch
抵抗変化メモリ(ReRAM)を微細化することで、マイコンやSoCなどが内蔵するフラッシュメモリを置き換えようという動きです。
埋め込みメモリはCMOSロジック製造との互換性維持が前提条件なのですが、
フラッシュメモリは記憶素子がトランジスタであり、CMOSロジックの微細化に伴うトランジスタの革新についていけなくなっております。
ReRAMはその点、微細化の追従がかなり容易です。特にMRAMマイコンと同様に配線工程に記憶素子を作り込む方式は、微細化によってトランジスタ技術が革新的に変化しても、問題なく微細化を続けていけるという素晴らしい方式です。CMOSロジックで16nm以下の技術を使う回路の埋め込み不揮発性メモリはすべて、この方式になると個人的には予測しております。
パナソニックとTSMCの技術開発の状況は、記事をお読みいただけますよう、お願いいたします。
抵抗変化メモリの知的材料設計 (大阪大学新世紀レクチャー 計算機マテリアルデザイン先端研究事例)
- 作者: 笠井秀明,岸浩史
- 出版社/メーカー: 大阪大学出版会
- 発売日: 2012/09/17
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