フラッシュメモリ業界最大のイベント「Flash Memory Summit」が今年も米国カリフォルニアのシリコンバレーで開催されました。
現地レポート2本を続けてPC Watch様に掲載していただいております。
東芝メモリのキーノート講演からレポートです。
SK Hynixのキーノート講演からレポートです。
昨年から今年にかけて3D NANDフラッシュは恐るべき勢いで進化しました。
ワード線の積層数は64層だったのが96層に超高層化しています。
そして多値記憶技術にブレークスルーがありました。QLC（4bit/セル）技術が商業化されたのです。
高層化で1.5倍の記憶密度向上。
QLC技術への移行で1.33倍の記憶密度向上。
両者を組み合わせると、１．995倍の記憶密度向上です。約2倍の記憶密度向上が、わずか１年で達成されています。
いや本当にびっくりしています。
昨年のフラッシュメモリサミットでは「64層とTLCでいったんストップかなあ」とか予想していたのですが。
完全にはずれています。
シリコンダイ当たりの記憶容量は1.33Tbitに達しました。1年前の最高水準である512Gbitの2倍強です。あわわ。
16枚収容でワンパッケージが2.66Tバイトですよ。2TバイトのHDDが、15mm角ほどのワンパッケージに入ってしまう。ホントですか。
すみません。ちょっと興奮してしまって（汗）。
とりあえずは記事をじっくりと読んでくださいませ。お願いします。
