Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

恐るべき勢いで進化する3D NANDの現実、「Flash Memory Summit」現地レポート2本を掲載

フラッシュメモリ業界最大のイベント「Flash Memory Summit」が今年も米国カリフォルニアのシリコンバレーで開催されました。

現地レポート2本を続けてPC Watch様に掲載していただいております。

pc.watch.impress.co.jp

東芝メモリのキーノート講演からレポートです。


pc.watch.impress.co.jp

SK Hynixのキーノート講演からレポートです。


昨年から今年にかけて3D NANDフラッシュは恐るべき勢いで進化しました。

ワード線の積層数は64層だったのが96層に超高層化しています。

そして多値記憶技術にブレークスルーがありました。QLC(4bit/セル)技術が商業化されたのです。

高層化で1.5倍の記憶密度向上。
QLC技術への移行で1.33倍の記憶密度向上。

両者を組み合わせると、1.995倍の記憶密度向上です。約2倍の記憶密度向上が、わずか1年で達成されています。
いや本当にびっくりしています。
昨年のフラッシュメモリサミットでは「64層とTLCでいったんストップかなあ」とか予想していたのですが。
完全にはずれています。

シリコンダイ当たりの記憶容量は1.33Tbitに達しました。1年前の最高水準である512Gbitの2倍強です。あわわ。
16枚収容でワンパッケージが2.66Tバイトですよ。2TバイトのHDDが、15mm角ほどのワンパッケージに入ってしまう。ホントですか。

すみません。ちょっと興奮してしまって(汗)。

とりあえずは記事をじっくりと読んでくださいませ。お願いします。