IEDMレポートの続き。台湾Winbondによる製品レベルの抵抗変化メモリの開発です

IEDM 2017のレポートの続報です。

pc.watch.impress.co.jp

IEDMでは技術の発表がほとんどなのです。
ところがWinbondの発表は製品化を強く意識したもの。
「製品化しても大丈夫なことを技術的に確認したよ」という発でした。
300mmウエハーの製造歩留まりまで出していたのには驚きました。

開発したのは、512Kbitの抵抗変化メモリ（ReRAM）です。
抵抗変化メモリでは富士通セミコンダクターがすでに4Mbit品を製品化しています（パナソニックの技術を導入したもの）。

Winbondのウエブサイトではまだ発表されていませんが、公式なアナウンスがあれば、富士通に続く2社目の製品化となります。楽しみです。

抵抗変化メモリの知的材料設計 (大阪大学新世紀レクチャー 計算機マテリアルデザイン先端研究事例)