Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

IEDMレポートの続き。台湾Winbondによる製品レベルの抵抗変化メモリの開発です

IEDM 2017のレポートの続報です。

pc.watch.impress.co.jp


IEDMでは技術の発表がほとんどなのです。
ところがWinbondの発表は製品化を強く意識したもの。
「製品化しても大丈夫なことを技術的に確認したよ」という発でした。
300mmウエハーの製造歩留まりまで出していたのには驚きました。


開発したのは、512Kbitの抵抗変化メモリ(ReRAM)です。
抵抗変化メモリでは富士通セミコンダクターがすでに4Mbit品を製品化しています(パナソニックの技術を導入したもの)。

Winbondのウエブサイトではまだ発表されていませんが、公式なアナウンスがあれば、富士通に続く2社目の製品化となります。楽しみです。



抵抗変化メモリの知的材料設計 (大阪大学新世紀レクチャー 計算機マテリアルデザイン先端研究事例)

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