IEDM2014レポートその2、ソニーとマイクロンの16Gビット抵抗変化メモリ、東芝の磁気メモリキャッシュ

米国サンフランシスコで開催されたIEDM2014のレポート記事第2弾をPCWatch様に掲載していただきました。

「ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発〜IEDM 2014レポート」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20141222_681373.html

ソニーとマイクロンが共同開発した16Gビット抵抗変化メモリ（ReRAM）と、東芝が開発中のオンチップキャッシュ用STT-MRAM技術を紹介しております。

次世代大容量不揮発性メモリの開発は、ちょっと曲がり角の雰囲気です。そのあたりを本文の最後にちょこっと書いてあります。

お手すきのときにでも閲覧していただくとうれしいです。

抵抗変化メモリの知的材料設計 (大阪大学新世紀レクチャー 計算機マテリアルデザイン先端研究事例)