Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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IEDM2014レポートその2、ソニーとマイクロンの16Gビット抵抗変化メモリ、東芝の磁気メモリキャッシュ

米国サンフランシスコで開催されたIEDM2014のレポート記事第2弾をPCWatch様に掲載していただきました。


ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発〜IEDM 2014レポート」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20141222_681373.html


ソニーとマイクロンが共同開発した16Gビット抵抗変化メモリ(ReRAM)と、東芝が開発中のオンチップキャッシュ用STT-MRAM技術を紹介しております。


次世代大容量不揮発性メモリの開発は、ちょっと曲がり角の雰囲気です。そのあたりを本文の最後にちょこっと書いてあります。




お手すきのときにでも閲覧していただくとうれしいです。



抵抗変化メモリの知的材料設計 (大阪大学新世紀レクチャー 計算機マテリアルデザイン先端研究事例)

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