PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
半導体メモリの3次元化には2つの技術があります。1つは、平面状のメモリセルアレイを1層ずつ積み重ねていく方法。もう1つは、垂直に細長い孔を開けてから孔をシリコンと絶縁膜で埋めることによって多層のメモリセルアレイを一気に作る方法です。
前者の代表が「3D XPointメモリ」、後者の代表が「3D NANDフラッシュ」です。それではどちらが低コストで製造できるのでしょうか。といっても代表例では条件が違うので上手く比較できません。
ところが、Micron TechnologyがIEDMのショートコースで3次元の抵抗変化メモリ（ReRAM）を対象に、両者のコスト比較をしたのです。ぶっちゃけてます。どうなったのかは、記事でお楽しみくださいませ。
