Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。MRAMのメモリセルとデータ読み書きの原理を解説

EETimes Japam様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を追加更新しました。


eetimes.jp


MRAMのメモリセルと読み書きの原理 (1/2) - EE Times Japan


MRAM(磁気抵抗メモリ)のメモリセルの構成とデータ読み出し、データ書き込みの原理を解説しております。

メモリセルは、DRAMと類似の1T1Rタイプ。抵抗記憶素子は磁気トンネル接合(MTJ)です。

詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。