コラム「ストレージ通信」を更新。「次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

半導体メモリの技術動向を解説するシリーズ、再開です。第7回となります。

eetimes.jp

しばらく間が空いたので、復習を兼ねた再確認から始めております。
そして次世代メモリの最有力候補である、相変化メモリ（PCM）、磁気抵抗メモリ（MRAM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）の現状をご報告しています。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。