EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
埋め込みMRAMのメモリセルと製造プロセス (1/2) - EE Times Japan
単体MRAMのメモリセルと、埋め込みMRAMのメモリセルでは、構造に違いがあります。
記憶素子である磁気トンネル接合（MTJ）のレイアウトです。
埋め込みMRAMではCMOSロジックの製造プロセスと互換性を維持するため、配線工程の途中でMTJを作り込みます。
記事では実際のプロセスフローを説明しております。
おてすきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。
