Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を続けて更新。40Mビットの埋め込みMRAMマクロを試作(後編)

EETimes Japam様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を続けて更新しました。

eetimes.jp

2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(後編) (1/2) - EE Times Japan


40Mビットの埋め込みMRAMマクロを2xnm技術で試作した結果の後編です。
信頼性試験の結果をご報告しております。

不揮発性メモリですので、定番となる信頼性が「データ書き換えサイクル数」と「データ保持期間」。
データ書き換えサイクル数(エンデュランス)は100万回(100万サイクル)でも劣化が見られません。
データ保持期間(データリテンション)は125℃で10年の保存を達成しております。


それからMRAMに特有の信頼性試験が、ハンダ付け耐熱性です。リフローハンダ付けによる高温処理を想定した試験です。MRAMの記憶素子である磁気トンネル接合(MTJ)の自由層は、磁気モーメントが熱エネルギーによって動きやすいという弱点があります。このため、埋め込みMRAMに予めソフトウェアを書き込んだ状態でハンダ付け工程に回すと、磁化反転による不良発生の恐れがあるのです。この不良が起こらないことを、確認しておく必要があります。


ちなみに埋め込みフラッシュに書き込んだデータは、ハンダ付け程度の高温ではびくともしません。ご安心くださいませ。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。