コラム「ストレージ通信」を更新。SRAM代替用とフラッシュ代替用で磁気トンネル接合の特性を変える

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

eetimes.jp

磁気トンネル接合（MTJ）におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い (1/2) - EE Times Japan

埋め込みMRAMには、埋め込みSRAMの置き換えを想定したバージョンと、埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したバージョンがあります。

両者で磁気トンネル接合（MTJ）の特性がどのように違うのかを説明しております。

お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。