Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。IoT/自動車向けMRAMへの要求仕様とデータ書き換え特性を解説

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp

IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性 (1/2) - EE Times Japan


前半は主に、IoT/自動車向けにプログラムコードを格納するMRAMへの要求仕様をまとめています。

後半は揮発性メモリと不揮発性メモリのデータ書き換え特性に関する本質的な違いを論じています。
揮発性メモリ(DRAMSRAM)が無限に書き換えが可能な高速メモリであるのに対し、
不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)は書き換え回数に制限のある低速なメモリです。

MRAMは「高速な書き換え」と「DRAMに近い書き換え回数」を両立させようとした不揮発性メモリなので、本質的な難しさがあります。
MRAMは磁気メモリですので、磁化の方向(磁気モーメントの方向)がデータの値を決めます。書き換えを高速にするためには、磁気モーメントは動きやすいことが望ましい。一方で不揮発性メモリですので、データを保持しておくためには、磁気モーメントは動かないことが望ましい。両者は矛盾しているのです。そのバランスを取ることが、メモリ開発では求められます。


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