コラム「ストレージ通信」を更新。多層配線工程の中間に埋め込む不揮発性メモリ技術（後編）

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

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多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術（後編） (1/2) - EE Times Japan

埋め込み不揮発性メモリ技術の解説シリーズ、最終回となりました。
多層配線工程で配線と配線の間に記憶素子を挿入する不揮発性メモリ技術の後編です。

記憶素子の実現技術と将来展望を説明しております。

お手すきのときでも、眺めていただけるとうれしいです。