EETimes Japam様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリコンフォトニクスに関するシリーズの第13回です。
光変調器の試作例（電界吸収（EA）変調器）とまとめ（前編） (1/2) - EE Times Japan
前回に続いて光変調器の試作例をご報告しております。今回は電界吸収変調器（EA変調器）です。
電界吸収層にはシリコンではなく、シリコンとゲルマニウムの化合物（SiGe）を使います。
光波長が1550nmなので、シリコンだとバンドギャップが広すぎて光を吸収しません。
そこでバンドギャップが狭いゲルマニウムをシリコンと混ぜ、バンドギャップを調整しています。
詳しくは、記事をお読みいただけるとうれしいです。
