EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリコンフォトニクス技術のシリーズ解説です。
シリコン中のキャリア密度の増減によって光の位相を変調する - EE Times Japan
シリコン中のキャリア密度を大きく変化させることで、光導波路の屈折率を変える仕組みです。
具体的には、光導波路の部分にpn接合を形成します。
pn接合に逆バイアスの電圧を加えるとpn接合付近は空乏層となり、キャリア密度がほとんどゼロになります。屈折率はわずかに増加します。屈折率が変化すると、光導波路を通過する光ビームの位相がずれます。
位相のずれが180度になった光を重ね合わせると干渉によって光の強度はほとんどゼロになります。このようにして光を変調します。
詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。
