EETimes Japam様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリコンフォトニクスの技術解説シリーズの続きとなります。
シリコンフォトニクスの光検出器 - EE Times Japan
シリコンフォトニクスで使う高速光検出器の解説です。
バンドギャップが狭いゲルマニウム（Ge）と受光部とし、シリコン光導波路を組み合わせたGeSiヘテロ接合pinフォトダイオードとなります。非常に高速に応答する素子だとのことです。
GeとSiのヘテロ接合ですと、格子定数の不整合による歪みと欠陥が気になります。欠陥が多くあると、暗電流が増加します。そのあたりの説明はありませんでした。
おてすきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
