Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。シリコン光変調器の原理と動作

EETimes Japam様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を追加更新しました。

eetimes.jp


シリコンフォトニクスで使われる主な光変調器 - EE Times Japan


シリコンフォトニクスで使われる代表的な光変調器の原理と動作をまとめて解説しております。

シリコン材料がベースなので、3種類と少ないです。化合物半導体や酸化物光導波路などの光変調器には触れておりません。


基本的な原理は2つ。1つは、キャリア密度によって半導体の屈折率が変わる効果を利用するもの。もう1つは、高電界によって半導体のバンドギャップが見かけ上は狭くなる効果を利用するものです。


屈折率の変化を利用する変調器は2種類あります。
屈折率の変化を位相のずれに変換して、位相の異なる光を干渉させて強度を変調させます。
あるいは、屈折率の変化を共振波長のずれに変換して、目的の光波長に対する吸収率を変えます。

バンドギャップを狭くする効果を利用する変調器では、目的の光波長に対する吸収率を電界の大小で変えます。


詳しくは記事をお読みくださいませ。それぞれの方式について、特長と弱点も説明しております。