Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。埋め込みMRAMの磁気トンネル接合に要求される条件

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

eetimes.jp


埋め込みMRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に要求される条件 (1/2) - EE Times Japan


埋め込みMRAMの記憶素子である、磁気トンネル接合(MTJ)対する要求をまとめております。

多層配線プロセスの高温処理を経ても、特性が劣化しないというのが要項です。
400℃で1時間程度の熱処理が目安です。
維持すべき特性は、トンネル磁気抵抗(TMR)比と保磁力(Hc)の2つとなります。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。