EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
埋め込みMRAMの磁気トンネル接合（MTJ）に要求される条件 (1/2) - EE Times Japan
埋め込みMRAMの記憶素子である、磁気トンネル接合（MTJ）対する要求をまとめております。
多層配線プロセスの高温処理を経ても、特性が劣化しないというのが要項です。
400℃で1時間程度の熱処理が目安です。
維持すべき特性は、トンネル磁気抵抗（TMR）比と保磁力（Hc）の2つとなります。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
