京都で開催されたVLSIシンポジウム（VLSI 2023）から、レポートをPC Watch誌に掲載していただきました。
Samsung Electronicsが開発した、14nm世代のFinFETロジックと互換の埋め込みMRAM（eMRAM）技術の成果発表です。
2件の発表をまとめています。
配線工程に記憶素子（磁気トンネル接合）を作り込めるので、トランジスタ技術に左右されないというのが埋め込みMRAMの最大の特徴です。これまではプレーナー技術のトランジスタと組み合わせた試作発表がSamsung以外を含めてすべてだったかと記憶しております。たぶん、FinFETと組み合わせたのはこれが初めてではないかと。
128Mbitと16Mbitのマクロを試作しています。16Mbit（2Mバイト）のマクロは、すぐにでも量産を始められそうな完成度です。パッケージに封止した状態で長期信頼性試験とはんだ付け（リフローを想定）試験をクリアしています。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
