Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

国際学会IEDM 2019現地レポート「インテルのL4キャッシュ向けMRAM技術」

米国サンフランシスコで開催された国際学会IEDM 2019から、現地レポートをPC Watch様に掲載していただきました。


pc.watch.impress.co.jp


インテルIntel)が4次(L4)キャッシュ向けMRAM技術を発表しました。想定容量は1Gバイト(8Gbit)と非常に大きいです。
発表講演では、2Mバイト(16Mbit)のマクロを試作して評価した結果を説明しています。


それとIBMがLLC(ラストレベルキャシュ)向けMRAM技術を発表したので、その概要を後半に付けています。
書き換えパルスの幅が2ns~3nsと高速のMRAMを実現しています。4Kbitのマクロを試作した結果です。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。