EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
シリーズ「フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表」を開始しております。その第3回です。
前回で、元の表中（1970年代）に「MROM」に関する記述が2つありました。
これは何だろうということで明らかになったのは「マスクROM（Mask ROM）」のトランジスタ接続に関する工夫の特許でした。
それはマスクROMのルーツは・・・・原文の年表にはありません。
そこで調べた結果が本記事です。
pn接合ダイオードをメモリセルとする、ダイオードアレイでした。1957年のことです。もちろん集積回路の発明前です。
原理は単純で、pn接合ダイオードに逆バイアスの高電圧を印加して接合を破壊するのがプログラムです。接合が壊れたダイオードは低い逆バイアスでも電流が流れるのでオン状態となります。一方、何もしなかったダイオードは低い逆バイアスでは電流が流れません。オフ状態となります。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
