2016-01-01から1年間の記事一覧
EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 スピン注入型磁気メモリ（STT-MRAM）における磁化反転の動的な振る舞いを解説しております。 「STT-MRAMの基礎（10）：スピン注入による磁化反転の動作」 http://eetimes.jp/ee/…
PCWatch誌で連載しておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。IBMチューリッヒ研究所が報道機関向けに発表した「TLC PCM技術」はいくつものウエブメディアに取り上げられ、画期的な成果として記事になりました。例えば、以下のようなものです。…
EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。STT-MRAM（スピン注入磁気メモリ）の解説シリーズ、第9回です。 「STT-MRAMの基礎（9）：電子スピンの注入による磁化反転の原理」 http://eetimes.jp/ee/articles/1605/30/news09…
EETimes Japan誌の連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。 STT-MRAMに関する講演を紹介するシリーズの第8回です。 「STT-MRAMの基礎（8）：外部磁界による書き込みの限界」 http://eetimes.jp/ee/articles/1605/27/news019.html 磁気メモリ（MRAM）の…
フランスのパリで開催されたイベント「IMW（国際メモリワークショップ）」からレポート記事を書いております。PCWatch誌に掲載されました。 「【IMW 2016】imec、1兆サイクルの書き換えが可能なReRAM技術を開発」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/2…
EETimes Japan誌に連載中のコラム「ストレージ通信」を更新しました。STT-MRAM技術を解説するシリーズの第7回です。 「MRAMの記憶素子「磁気トンネル接合」」 http://eetimes.jp/ee/articles/1605/24/news021.html 磁気メモリ（MRAM）の記憶素子である「磁気…
海外出張から戻りました。羽田着が夜の11時近く。自宅に付いたら日付が変わっておりました。 それからシャワーを浴びて、着替えて、パソコンを立ち上げて。メールをチェックして。そしてブログを更新しました。 ところが。次の日になってブログを見たら、最…
5月15日から18日までフランスのパリで開催されている国際学会 「国際メモリワークショップ（IMW2016）に参加しました。 レポート記事の初号をPCWatch様に掲載していただいております。 「セミコン業界最前線：【IMW 2016】袋小路に追い込まれつつある次世代…
PCWatch誌で連載しておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 ルネサス エレクトロニクスの2015年度決算を解説しております。 「「やればできる」を証明したルネサスの2年連続最終黒字」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2…
EETimes Japan誌のコラム「ストレージ通信」を更新しました。STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第6回です。 「STT-MRAMの基礎（6）：磁気記憶の高密度化とその課題」 http://eetimes.jp/ee/articles/1605/13/news022.html 前半は磁気異方性エネルギーの大…
EETimes Japan誌に掲載しております。STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第5回です。 「次世代メモリ、STT-MRAMの基礎（5）：磁気メモリが「不揮発性メモリ」であるための条件」http://eetimes.jp/ee/articles/1605/09/news033.html 磁気メモリは不揮発性メ…
米国で開催された国際学会「IRPS2016」のレポートをPCWatch誌に掲載していただきました。 「電源電圧が仕様範囲内でもTLC NANDフラッシュの寿命は大きく変わる」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20160506_756102.html mid-1xnmのプレーナ技…
PCWatch誌で掲載しております連載コラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 国際学会IRPS2016から、金属配線不良の兆候を早期に検出する手法の研究成果を解説付きで紹介しております。 「金属配線不良の兆候を早期に検出する手法をimecなどが開発」 htt…
平素はご訪問をありがとうございます。管理人です。2016年4月の本ブログに対するアクセスログがまとまりました。4月のPV数 6479 （参考：3月は 7175）4月のユニークユーザー数 5944 （参考：3月は 6546） ●4月の検索語ランキング 品川駅構内図 60 4.07% 品川…
EETimes Japan誌に連載中のコラム「ストレージ通信」を更新しました。 磁性体（強磁性体）の最も重要な性質である「交換相互作用」を外部磁界による磁化反転から説明しています。 「STT-MRAMの基礎（4）：交換相互作用の初歩の初歩」 http://eetimes.jp/ee/a…
EETimes Japan誌のコラム「ストレージ通信」を更新しました。 STT-MRAMの基礎解説シリーズ第3回です。 「STT-MRAMの基礎（3）：強磁性、常磁性、反磁性の違い」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/26/news036.html 前半は強磁性体の基本的な性質である、交…
米国カリフォルニア州パサデナで開催中のIRPS（国際信頼性物理シンポジウム）から、現地レポート第2弾をPCWatch誌に掲載していただきました。 「金属配線の寿命は、電流密度で決まるとは限らない」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20160…
EETimes Japan誌に掲載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第2回です。 「STT-MRAMの基礎（2）：STT-MRAMの概要と応用の可能性」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/22/news022.html 応用の可能性は…
米国カリフォルニア州パサデナ市で開催中のIRPSから、現地レポートをPCWatch誌に掲載していただきました。 「微細化による論理回路のソフトエラー対策をBroadcomなどが発表」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20160421_754358.html 16nm FinF…
EETimes Japan誌に掲載しております連載コラム「ストレージ通信」を久々に更新しました。 次世代メモリとして期待されているSTT-MRAMの基礎を解説するシリーズを始めます。 「STT-MRAMの基礎――情報の蓄積に磁気を使う」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/…
EETimes Japan誌の連載コラム「デバイス通信」を更新しました。シリーズ「ARMが語る最先端メモリ」の第16回（完結編）です。 「ARMが語る、最先端メモリに対する期待（16）：求む、「スーパーメモリ」」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/14/news030.html…
広告企画記事として、展示会「ファインテックジャパン」から真空装置メーカーアルバックの展示内容をレポートしました。 「IoT社会を支えるアルバックの最先端テクノロジー - ファインテック ジャパン」 http://news.mynavi.jp/kikaku/2016/04/11/001/ 装置…
PCWatch誌の連載コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新しました。6月に開催される半導体技術開発のイベント「VLSIシンポジウム」の予告レポートです。 「10nm世代の半導体技術が6月のVLSIシンポジウムで姿を現わす〜続々登場する技術の概要を紹介 」 htt…
EETimes Japan誌の連載コラム「デバイス通信」を更新しました。 シリーズ「ARMが語る最先端メモリ」の第15回です。 「ARMが語る、最先端メモリに対する期待（15）：SRAMの書き込み動作を理解する」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/11/news018.html 半導…
EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「最先端メモリに対する期待（14）：SRAMの消費電力と設計の課題」 http://eetimes.jp/ee/articles/1604/05/news030.html SRAMシリコンの実レイアウト（CAD出力）、消費電力…
