EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
スピン注入型磁気メモリ（STT-MRAM）における磁化反転の動的な振る舞いを解説しております。
「STT-MRAMの基礎（10）：スピン注入による磁化反転の動作」
http://eetimes.jp/ee/articles/1606/03/news030.html
磁化反転における磁気モーメントの動きが「歳差運動（首振り運動）」であることを説明しております。磁気モーメントと磁化はベクトルなので、たいていは矢印で表記されます。この矢印はまっすぐ回転して反転することはありません。
実際には倒れかけた独楽（コマ）のように、矢印の先端を頭部とする首振り運動をします（味噌すり運動と呼ぶこともあります）。首を振りながら真横を向いてクルッと回転し、ほぼ反対の向きになると首を振りながら、首振りの半径を小さくしていき、ちょうど反対（180度の回転）の向きに収束します。
厳密には磁気モーメントが反転する軌道は「LLG方程式」と呼ばれる運動方程式に、スピンの項目を付加して方程式を解いて求めます。しかし本稿では数式（簡単なものは除く）を出さないで説明することを基本方針としているので、運動方程式までは踏み込んでいません。そのぶん、厳密さを欠いた説明になっています（専門家の皆さま、どうぞご容赦くださいませ）。
